http://hdl.handle.net/20.500.12397/2419 2026-05-05T11:10:01Z 2026-05-05T11:10:01Z BAYBURT, SEVİL BAYBURT, Mehmet http://hdl.handle.net/20.500.12397/2637 2020-06-16T12:44:36Z 2002-01-01T00:00:00Z

X-IŞINI GÖRÜNTÜLEMEDE YARIİLETKEN DEDEKTÖRLERİN KULLANILMASI BAYBURT, SEVİL; BAYBURT, Mehmet X-ışını görüntülemede çeşitli dedektörler kullanılmaktadır. Bunlar sintilasyon ve yarı iletken dedektörler olarak sınıflandırılabilir. Bu çalışmada özellikle anjiografide halen kullanılan CsI tipi sintilasyon dedektörlerle, CdTe tipi yarıiletken dedektörler karşılaştırılmıştır. Öncelikle bu dedektörler bilgisayarda simüle edilmiş ve xışını simülasyon programıyla incelenmiş ve anjiografide kullanılan iki farklı tüp uygulama tekniği ile deneyler yapılmıştır. Bu teknikte tüpe önce alçak voltaj (60 kVp) uygulanmakta ve bu anda tüpün önünde karakteristik filtre olarak sadece bakır levha bulunmaktadır. Daha sonra tüpe daha yüksek gerilim uygulanması (120 kVp) esnasında tüp önüne filtre olarak ise bakır + alüminyum levhalar konulmuştur. Buradan alınan farklı spektrumlar değerlendirilerek görüntü oluşturulmaktadır. Bu deneyler tüpe uygulanan voltajların değişik değerleri için ve tüpün önüne konulan karakteristik filtrelerin çeşitli değerleri için bir çok kez tekrarlanmıştır. Bütün bu deneylerin sonucu halen kullanılmakta olan CsI dedektörlerine göre, CdTe tipi yarı iletken dedektörlerde sinyal gürültü oranı (SNR) yaklaşık 10 kat daha büyük çıkmaktadır. Bu sonuçlara bakılarak gelecekte x-ışını görüntülemede özellikle düşük enerjilerde CdTe tipi dedektörlerin yaygın kullanılacağı söylenebilir. Different detectors are being used in X-ray imaging. They can be classified as scintillation and semiconductor detectors. In this study CsI and CdTe type detectors, which are especially used today in angiography, have been compared. First, these detectors have been simulated in computer and experiments have been carried out by applying two different tube techniques, which are usually used in angiography with an X-ray simulation program. In this technique, firstly, low voltage (60 kVp) is applied to the tube with a copper sheet in front of it that serves as an inherent filter. Then, higher voltage (120kVp) is applied to the tube with a copper and aluminum sheets in front of the tube for the same purpose. Image is composed by evaluating different spectrums obtained. These experiments have been repeated for different values of applied voltages and different type ad thickness of inherent sheets. As a result of these experiments, it was found that the signal to noise ratio (SNR) of the CdTe type detector is found to be approximately ten times greater than the CsI type detectors that are used presently. From this profile, especially at X-rays monitoring field in the future, CdTe type detectors could be used extensively at low energies.

2002-01-01T00:00:00Z Karaoğlu, Serdar ÖZES, ÇİÇEK http://hdl.handle.net/20.500.12397/2636 2020-06-16T12:44:36Z 2002-01-01T00:00:00Z

T-BAĞLANTILARDA KAYNAK EŞİĞİNDEKİ GERİLME YIĞILMASI FAKTÖRÜNÜN SONLU ELEMANLAR YÖNTEMİ İLE İNCELENMESİ Karaoğlu, Serdar; ÖZES, ÇİÇEK T-bağlantıların kaynak eşiğindeki gerilme yığılma faktörleri sonlu elemanlar yöntemiyle, çekme ve eğilme yükleri altında incelenmiştir. En yaygın kullanılan kaynak açısı olan 45° değerinin kullanıldığı çalışmada, bağlantı genişliği (L), daima bağlantı plakası kalınlığının (t) iki katıdır. Bağlantı genişliğinin, ana plaka kalınlığına oranı: L/T : 0,4 - 3,0 , eşik radüsünün, ana plaka kalınlığına oranı: ρ/T ise 0,01- 0,10 aralığında değiştirilmiştir. Analiz sonuçlarından, kaynaklı T-bağlantılarda eşik radüsünün arttırılması ile gerilme yığılma faktörünün etkin bir şekilde azaltılabileceği tespit edilmiştir. Literatürdeki parametrik çalışmalarla karşılaştırıldığında, elde edilen sonuçların uyumlu olduğu görülmüştür. The stress concentration factor (SCF) of T-butt weldments has been calculated by finite element method. The influence of weld toe transition radius on SCF has been analyzed under both tension and pure bending loading. A double 45° bevel, most widely used full penetration weld groove preparation angle, has been used in the attachment plate. As a result of this, the attachment width (L) is twice the attachment plate thickness (t) in all cases. The ratio of attachment width / primary plate thickness (L/T) has changed between 0,4 and 3,0 , while weld toe radius / primary plate thickness ratio (ρ/T) has changed between 0,01 and 0,10. The result shows that it is possible to ease the stress concentration of T-butt welded joint effectively by increasing the weld toe transition radius. The proposed model has been proven by comparing the results with the recent parametric studies in the literature.

2002-01-01T00:00:00Z OKUMUŞ, Fuat http://hdl.handle.net/20.500.12397/2635 2020-06-16T12:44:36Z 2002-01-01T00:00:00Z

FARKLI İKİ KOMPOZİT MALZEMEDEN OLUŞAN ANKASTRE YAPIDA, TEK BOYUTLU ISI AKIŞINDA MEYDANA GELEN ISIL GERİLMELERİN ANALİZİ OKUMUŞ, Fuat Bu çalışmada rijit olarak birbiriyle birleştirilmiş, farklı fiziksel özelliklere sahip iki malzemede tek boyutlu ısı akışı altında meydana gelen ısıl gerilmeler incelenmiştir. İncelemede cam-epoksi, boron-epoksi, grafit-epoksi malzemeler, ikili sistem oluşturacak şekilde rijit olarak birleştirilmişlerdir. Her bir ikili malzeme sistemi, ayrı ayrı ele alınarak incelenmiştir. Çalışmada, dikdörtgen biçimli düzlemsel levhalar kullanılmıştır. Sıcaklık değişimine bağlı olarak meydana gelen ısıl gerilmelerin hesaplanması sonlu elemanlar yönetimi ile yapılmıştır. Sonlu Elemanlar yönteminde dört düğümlü, dikdörtgen formlu izoparametrik elemanlar kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak incelenmiş, grafikler halinde verilmiştir. In this study, the heat stresses that occur under the one dimensioned heat flowing of two materials which has got the different features that is taken together one to another as a rijit has been investigated. At the investigation, the graphite-epoxy, the boron-epoxy and the glass-epoxy, materials have been taken together one to other by forming two systems. Each material system has been examined separately. At the studying, the plane plates which are formed as rectangular are used. At the calculating of the heat stresses that occurs depend upon of the heat difference, the finite element method is used. At the finite element method, isoparametric elements that are four nodes and formed rectangular forms are used. The results were compared and graphics were given in addition.

2002-01-01T00:00:00Z COŞKUN, Salih http://hdl.handle.net/20.500.12397/2634 2020-06-16T12:44:36Z 2002-01-01T00:00:00Z

BASİT NEM ALICI ISI POMPALI SÜREKLİ KURUTMA SİSTEMİNİN SİMULASYONU COŞKUN, Salih Bu çalışmada, basit nem alıcı ısı pompası destekli çapraz akımlı bir sürekli kurutma sistemi, ısı pompası ve sürekli kurutucu ünitesi olmak üzere iki kısımda incelenmiştir. Her iki üniteyi oluşturan elamanların matematik modelleri oluşturulduktan sonra elde edilen nonlineer denklemler, yine her iki ünite için ayrı ayrı TURBO PASCAL programlama dili kullanılarak hazırlanan bir program vasıtasıyla çözülmüştür. Sürekli kurutucu ünitesinin çıkış şartları, ısı pompası ünitesinin giriş şartları olarak kabul edilerek, tüm sistemin simülasyonu gerçekleştirilmiştir. Sistemin her noktasındaki değişkenler (sıcaklıklar, debiler, nem değerleri vs.) ve bu değişkenlere bağlı olarak sistemin performansı incelenmiş, sonuçlar literatürde mevcut deneysel ve sayısal sonuçlarla karşılaştırılmıştır. In this study, a simple dehumidifier heat pump assisted continuous dryer are investigated as two different sections, heat pump unit and continuous dryer unit. Nonlinear equations that are obtained from mathematical models of both units are solved by writing a computer program in Turbo-Pascal. Over all system is simulated by considering the inlet conditions of heat pump is exit conditions of continuous dryer. The variables at every points of the system such as temperature, flow rate and relative humidity and the performance of this system depending of these variables are investigated and obtained results are compared with experimental and numerical ones in available literature.

2002-01-01T00:00:00Z